雪崩光电探测器
APD430T雪崩光电探测器
雪崩 APD · 可调增益 · 温度补偿 · 30 mm 笼式系统
雪崩光电探测器(APD)设计用于提供比标准PIN探测器更强的灵敏度和更低的噪声，非常适合于低光功率级别的应用。我们除了标准的APD之外，还提供具有可变增益(即M因子)的版本。 一般而言，雪崩光电二极管利用内部增益机制来增加灵敏度。将一个较高的反向偏压施加到该二极管来产生强电场。当入射光子产生一个电子空穴对时，电场使电子加速，导致由碰撞电离产生次级电子。所产生的电子雪崩将产生几百倍的增益因子，用倍增因子M表示，M与反向偏压和温度呈函数关系。一般而言，M因子随温度降低而增大，随温度升高而减小。类似地，M因子将在反向偏置电压升高时增大，在反向偏置电压降低时减小。
产品特点
- 温度补偿
- 选配可调增益
- 最大带宽可达400MHz
- 30mm光学笼式系统
典型应用
- 探测弱光信号
- 激光雷达
关键指标
| 参数 | 典型值 |
|---|---|
| 波长范围 | 400 – 1100 nm（A）/ 1000 – 1700 nm（C） |
| 带宽 | DC – 10 MHz 至 DC – 400 MHz |
| 输出 | SMA female，50 Ω，DC 耦合 |
| 供电 | 9 V |
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